Транзисторы серии КТ827
Однако так же, как и составные транзисторы Дарлингтона, они обладают большим коэффициентом передачи тока от до Среди импортных аналогов встречаются также БТ, в корпус которых встроен диод. Например, транзисторы серии BUD, применяемые для формирования двунаправленного переключателя мощности, которые обычно используются в схемах строчной развертки. В корпус некоторых БТ, предназначенных для работы в ключевом режиме, встроены , например, серия KS Кроме простых БТ выпускается широкий ассортимент составных транзисторов Дарлингтона, которые состоят из нескольких простых транзисторов и практически неотличимы по внешнему виду от стандартных.
Принципиальная схема очень простого но достаточно мощного источника питания, который выполненный на мощных составных транзисторах, вполне пригоден не только для зарядки автомобильных аккумуляторов, но и для питания различных электронных схем. Напряжение на выходе устройства регулируется от 0 до 15 В. Выходной ток блока питания может достигать 20 А. Так как катоды диодов и коллекторы транзисторов соединены между собой, то все эти детали размещаются на одном большом радиаторе без изолирующих прокладок. Если не предъявляются особые требования к стабильности напряжения, то резистор R1 и стабилитрон VD3 из схемы можно исключить. Добавив емкости, показанные на схеме пунктиром, можно использовать устройство в качестве блока питания.
К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона , пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др. Составной транзистор или схема Дарлингтона часто — пара Дарлингтона была предложена в году инженером Bell Laboratories Сидни Дарлингтоном англ. Sidney Darlington. Схема является каскадным соединением двух редко — трёх или более биполярных [1] транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база — эмиттер транзистора последующего каскада то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего , при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора. Коэффициент усиления по току пары Дарлингтона очень высок и приблизительно равен произведению коэффициентов усиления по току транзисторов, составляющих такую пару.
